sram & mram 文章最新資訊

內(nèi)存墻越筑越高

隨著靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下難以持續(xù)微縮，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)必須評(píng)估其對(duì)各類計(jì)算場(chǎng)景的沖擊，而短期內(nèi)暫無(wú)簡(jiǎn)易解決方案。核心要點(diǎn)每一代工藝節(jié)點(diǎn)微縮時(shí)，同等容量的 SRAM 所占芯片面積比例持續(xù)上升。該問(wèn)題不僅局限于前沿 AI 芯片，最終將影響所有計(jì)算設(shè)備，甚至小型微控制器（MCU）與微處理器（MPU）。行業(yè)可能需要進(jìn)行架構(gòu)變革；在邏輯芯片上堆疊 SRAM 小芯片可行，但成本高昂。SRAM 是所有計(jì)算系統(tǒng)的核心組件，但其縮放進(jìn)度已無(wú)法跟上邏輯電路的迭代速度，過(guò)去五年這一矛盾急劇惡化。早在 1
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汽車存儲(chǔ)器新突破：8nm128Mb嵌入式MRAM的研發(fā)

全球首款 8 納米 128 兆位嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存取(MRAM)存儲(chǔ)器，相關(guān)研究成果收錄于 2025 年國(guó)際電子器件會(huì)議磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 / 阻變存儲(chǔ)器專題論文集汽車技術(shù)的飛速發(fā)展，推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)高可靠性、高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)方案的需求持續(xù)攀升。現(xiàn)代汽車對(duì)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)功能、復(fù)雜信息娛樂(lè)平臺(tái)的依賴度日益提高，而這些系統(tǒng)均需要能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的存儲(chǔ)器。在各類新興存儲(chǔ)技術(shù)中，嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器憑借其非易失性、高耐久性以及高速讀寫(xiě)的特性，成為極具潛力的優(yōu)選方案。這款專為汽車應(yīng)用打造的 8 納米 12
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自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技術(shù)突破有力推動(dòng)了 SOT-MRAM 技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開(kāi)的「第一屆自旋芯片與技術(shù)研討會(huì)」上，自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布了全球首款單片容量達(dá)到 4 Mb 的全功能第三代 MRAM 芯片——SOT-MRAM 芯片，這也是全球第一款 Mb 容量的垂直磁化 SOT-MRAM 芯片。磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）是一種基于磁電阻效應(yīng)的新型非易失性存儲(chǔ)器，其最大特點(diǎn)是能同時(shí)兼具高速、低功耗、抗輻射、近乎無(wú)限的可重寫(xiě)次數(shù)、掉電信息不丟失等優(yōu)勢(shì)，
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2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來(lái)自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場(chǎng)希爾頓酒店帝國(guó)宴會(huì)廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場(chǎng)由全球頂尖MRAM專家邀請(qǐng)的演講，以及一個(gè)晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工具開(kāi)發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
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瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），以7300 CoreMark的原始計(jì)算性能刷新行業(yè)基準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的計(jì)算效能?？蛇x配的Cortex?-M33處理器有助于實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)分區(qū)和任務(wù)隔離。RA8M2與RA8D2同屬RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2為通用型產(chǎn)品，RA8D2 MCU則集成多種高端圖形外設(shè)。它們與瑞薩今
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特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠

據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯報(bào)道，為大力推動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM集團(tuán)日前達(dá)成一項(xiàng)價(jià)值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計(jì)劃在印度建設(shè)5座先進(jìn)的電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠，還將在包括美國(guó)、馬來(lái)西亞、阿曼、巴西、阿聯(lián)酋（UAE）和柬埔寨等另外15個(gè)國(guó)家部署生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)。SRAM & MRAM集團(tuán)董事長(zhǎng)Sailesh L Hiranandani強(qiáng)調(diào)了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規(guī)模最大的電動(dòng)汽車電池制造與儲(chǔ)能供應(yīng)鏈之一。這一舉措體現(xiàn)了各方對(duì)可持續(xù)能源解
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首款2nm SRAM，為AI數(shù)據(jù)中心帶來(lái)什么？

SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無(wú)需訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器，其速度甚至可以更快。
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新興存儲(chǔ)，開(kāi)始走嵌入式路線

新興內(nèi)存已不再只是未來(lái)的前景。在嵌入式系統(tǒng)中，它正在成為現(xiàn)實(shí)。
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臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM

TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設(shè)計(jì)中心，并正在尋求汽車應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計(jì)中心（EUDC）將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計(jì)將專注于汽車，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能（AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT）的芯片設(shè)計(jì)?？紤]到這一點(diǎn)，臺(tái)積電已對(duì)其 28nm 電阻式 RRAM 存儲(chǔ)器進(jìn)行了汽車應(yīng)用認(rèn)證，預(yù)計(jì) 12nm 版本將滿足同樣嚴(yán)格的汽車質(zhì)量要求，并計(jì)劃推出 6nm 版本。它還計(jì)劃推出 5nm MRAM 磁性存儲(chǔ)器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺(tái)積電的 22
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基于SRAM的FPGA技術(shù)創(chuàng)新：快速安全啟動(dòng)機(jī)制深度解析

在可編程邏輯器件領(lǐng)域，基于SRAM的FPGA經(jīng)常被誤解。這些FPGA具有極高的靈活性和可重新配置特性，是從消費(fèi)電子到航空航天等各類應(yīng)用的理想選擇。此外，基于SRAM的FPGA還能帶來(lái)高性能和低延遲，非常適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理和高速通信等要求苛刻的任務(wù)。一個(gè)常見(jiàn)的誤解是，基于SRAM的FPGA會(huì)因啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng)而不堪負(fù)荷。通常的說(shuō)法是，由于其配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在片外，特別是在加密和需要驗(yàn)證的情況下，將這些信息加載到FPGA的過(guò)程就成了瓶頸。然而，對(duì)于許多基于SRAM的現(xiàn)代FPGA來(lái)說(shuō)，這種觀點(diǎn)并不成立，萊迪思Avant?
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轉(zhuǎn)向納米晶體管是SRAM的福音

上周在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域最大的兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Intel 和 TSMC 詳細(xì)介紹了使用其最新技術(shù) Intel 18a 和 TSMC N2 構(gòu)建的關(guān)鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來(lái)，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因?yàn)?nbsp;SRAM 由大型存儲(chǔ)單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來(lái)存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步?，F(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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英特爾18A節(jié)點(diǎn)SRAM密度與臺(tái)積電持平背面功率傳輸是一大優(yōu)勢(shì)

英特爾在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點(diǎn)的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅(jiān)實(shí)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
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